株式会社贝斯特官网（社长：：：Toshikazu Umatate，东京都港区）推出了ArF液浸式扫描光刻机NSR-S625E。。 由于提高了产量和设备运行的不变性，NSR-S625E实现了贝斯特官网半导体光刻设备汗青上最高的出产效能，可为各类半导体器件的高效出产做出贡献。。

发售概况

商品名	ArF液浸式扫描光刻机NSR-S625E
发售功夫	2024年2月

开颁布景

随着利用的多样化和半导体需要的增多，客户对半导体曝光系统的要求也变得越来越复杂和精密。。贝斯特官网对峙通过”伴走”活动，为客户提供量身定制的解决规划。。为了满足客户日益多样化的需要，贝斯特官网决定通过开发ArF液浸式扫描光刻机NSR-S625E而扩大其光刻机产品领域。。
新开发的NSR-S625E是在市场上有着10年销售史的NSR-S622D后继机。。它提供相比约莫1.3倍的产出量，大大改善了运行不变性，此外还配有iAS*1，助力于各类半导体的高效出产。。

贝斯特官网将持续通过不休提供适合客户需要的曝光设备，为高附加价值的半导体制作作出贡献。。

※1 inline Alignment Station的缩写。。 在不降低曝光系统产出的情况下，实现高速、、高精度的晶圆丈量和网格变形校对的系统。。

重要机能

Resolution	分辨率	≦38 nm
NA	NA	1.35
Exposure light source	曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
Reduction ratio	缩小倍率	1:4
Maximum exposure field	最大曝光领域	26 mm x 33 mm
Overlay	重合精度	SMO※2:≦1.7 nm、、MMO※3:≦2.5 nm
Throughput	产出	≧280 wafers/hour (96 shots)