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半导体装置产品目录中心

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*单项产品的下载请点击“下载产品目录”按钮，多项产品请先勾选后下载！！！！Ｋ〔纺柯嫉ゴ尾荒艹50MB！！！！

光刻机

ArF液浸式扫描光刻机 NSR-S625E

PDF: 1MB

支持多重曝光，实现了超高精度与
高产出的ArF液浸式扫描光刻机

贝斯特bst(中国区)-官方网站

确认具体内容

分辨率 ≦ 38 nm
NA 1.35
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率 1 : 4
最大曝光领域 26 mm x 33 mm
重合精度 MMO : ≦ 2.5 nm
产出 ≧ 280 wafers / hour (96 shots)

ArF扫描光刻机 NSR-S333F

如需资料烦请至留言区填写联系方式

搭载Streamlign Platform系统
高重合精度与出产效能的ArF扫描光刻机
对应逻辑、、存储器、、图像传感器等各类器件的渺小图案制作

贝斯特bst(中国区)-官方网站

确认具体内容

分辨率 ≦ 65 nm
NA 0.92
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率 1 : 4
最大曝光领域 26 mm x 33 mm
重合精度 MMO : ≦ 4 nm
产出 ≧ 300 wafers / hour (96 shots)

ArF扫描光刻机 NSR-S322F

PDF: 1MB

搭载Streamlign Platform系统，
高重合精度与出产效能的ArF扫描光刻机

ArF扫描光刻机 NSR-S322F

确认具体内容

分辨率 ≦ 65 nm
NA 0.92
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率 1 : 4
最大曝光领域 26 mm x 33 mm
重合精度 MMO : ≦ 5 nm
产出 ≧ 230 wafers / hour (96 shots)
≧ 250 wafers/hour (96 shots)※1

※1 option选项

KrF扫描光刻机 NSR-S220D

PDF: 1MB

搭载Streamlign Platform系统的KrF扫描光刻机

KrF扫描光刻机 NSR-S220D

确认具体内容

分辨率 ≦ 110 nm
NA 0.82
曝光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
缩小倍率 1 : 4
最大曝光领域 26 mm x 33 mm
重合精度 MMO : ≦ 6 nm
产出 ≧ 230 wafers / hour (96 shots)

i线步进式光刻机 NSR-SF155

PDF: 1MB

搭载天钩机关与高速运行的晶圆工作台的高重合精度和高产出i线步进式光刻机

i线步进式光刻机 NSR-SF155

确认具体内容

分辨率 ≦ 280 nm
NA 0.62
曝光光源 i-line (365 nm wavelength)
缩小倍率 1 : 4
最大曝光领域 26 mm x 33 mm
重合精度 SMO : ≦ 25 nm
产出 ≧ 200 wafers / hour （300 mm wafer, 76 shots）, 也可用于 200 mm wafer

缩小投影倍率5倍 i线步进式光刻机NSR-2205iL1

PDF: 1MB

应对功率半导体、、通讯誉半导体、、MEMS等各类器件，代替既有设备的梦想选择！！！！Ｋ跣⊥队氨堵5倍 i线步进式光刻机

i线步进式光刻机NSR-2205iL1

确认具体内容

分辨率 ≦ 350 nm※1
NA 0.45
曝光光源 i-line (365 nm wavelength)
缩小倍率 1 : 5
最大曝光领域 22 mm x 22 mm
重合精度 SMO : ≦ 70 nm※1

※1 option选项

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对准站

锐布 Litho Booster

PDF: 1MB

具备高速丈量晶圆的栅格扭曲的自动对焦台

锐布 Litho Booster

确认具体内容

重要特点
  • 对所有曝光前晶圆进行栅格扭曲绝对值的高速且高精度丈量
  • 可扩张和进化的平台（不仅能够使用贝斯特官网的软件，还能够使用第三方利用软件）
  • 使用贝斯特官网的光刻机时，可共同浸没式扫描光刻机及通常扫描光刻机的使用
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检测?查抄装置

自动宏观检测装置 AMI-5700

如需资料烦请至留言区填写联系方式

可同时实现高产出和卓越检测活络度的自动宏观检测装置

自动宏观检测装置 AMI-5700

确认具体内容

重要特点
  • 可利用于3D存储器 / 逻辑 / CMOS图像传感器设备
  • 建设图案边缘粗糙度（PER）检测职能和反射镜倾斜光学系统
  • 查抄产出达到180片以上 / 小时（尺度倍率时：：：散射查抄 + 衍射查抄或正向反射查抄）
  • 计测产出达到25片 / 25分钟（在分歧前提下对晶圆进行3次批量成像，曝光功夫最短时）
  • 1Shot内最多可进行75,000个点（26 mm × 33 mm）的计测

晶圆检测装置 OPTISTATION-3200/3100/3000

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建设了贝斯特官网倍受赞美的 CFI60-2 光学器件，可产生高对比度和最小散光的清澈图像的晶圆检测装置

晶圆检测装置 OPTISTATION-3200/3100/3000

确认具体内容

重要特点
  • 可对 300 mm 晶圆进行单一急剧的手动目测查抄
  • 选取切合SEMI尺度的安全设计，提供同类产品中最高的系统靠得住性
  • 除了宏观理论查抄外，该系统还标配边缘查抄和晶圆背面中心！！！！
  • 装载 200 mm 盒式适配器能够在单个装置上组合传输 200-300 mm 晶圆
  • 作为用于研发缺点分析的在线检测系统和分析工具，有助于大幅提高产量
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X射线/CT系统

XT H 225和XT H 320

PDF: 10MB

多用处高分辨率微焦点CT检测系统，用于小型塑料衔接器及铝铸件等各类部件的研发和失效分析！！！！

XT H 225和XT H 320

确认具体内容

最大能量 225 kV / 320 kV
X射线源 最小焦点 1 μm / 3 μm
最大CT扫描尺寸 280 mm / 300 mm
探测器 最大像素矩阵 2880 x 2880 / 2048 x 2048
最大帧速度 30 fps
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影像丈量仪

尺度机型NEXIV VMZ-S

PDF: 6MB

高精度、、高速度、、方便易用的微米级坐标丈量！！！！

尺度机型NEXIV VMZ-S

确认具体内容

最大XYZ量程 650 x 550 x 200 mm
最小读数 0.01 μm
最大允许误差 EUX, MPE EUY, MPE 1.2 + 4 L / 1000 ?m
最大允许误差 EUXY, MPE 2.0 + 4 L / 1000 ?m
最大允许误差 EUZ, MPE 1.2 + 5 L / 1000 ?m
最大载重量 50 kg（精度保障: 30 kg）
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光学手动丈量

丈量显微镜

PDF: 13MB

贝斯特官网众多的？？榛ピ，让您在配置切合使用主张的系统时享有更大的矫捷性！！！！

丈量显微镜
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工业显微镜

体式变焦显微镜

PDF: 17MB

蕴含正置和颠倒两种类型的多种工业用显微镜，既有反射装用型，也有透反射两用型，用于对工业样品的高倍观察！！！！

体式变焦显微镜
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检测?查抄装置

晶圆检测装置 OPTISTATION-3200/3100/3000

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建设了贝斯特官网倍受赞美的 CFI60-2 光学器件，可产生高对比度和最小散光的清澈图像的晶圆检测装置

晶圆检测装置 OPTISTATION-3200/3100/3000

确认具体内容

重要特点
  • 可对 300 mm 晶圆进行单一急剧的手动目测查抄
  • 选取切合SEMI尺度的安全设计，提供同类产品中最高的系统靠得住性
  • 除了宏观理论查抄外，该系统还标配边缘查抄和晶圆背面中心！！！！
  • 装载 200 mm 盒式适配器能够在单个装置上组合传输 200-300 mm 晶圆
  • 作为用于研发缺点分析的在线检测系统和分析工具，有助于大幅提高产量

图像传感器查抄用照明装置 N-SIS9/8

PDF: 1MB

选取了贝斯特官网独有技术的图像传感器查抄用照明装置！！！！Ｒ愿哒斩榷钥硎映〗芯日彰，并可高速实现照度及RGB等的分光设定的图像传感器查抄用照明装置

图像传感器查抄用照明装置 N-SIS9/8

确认具体内容

N-SIS9 N-SIS8
类型 测试机头内置型 探针搭载型
视场尺寸 80 mm × 100 mm 120 mm × 120 mm
照明一致性 ± 2.0 %以下 ± 1.5 %以下
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后道用光刻机（用于先进封装）

数字光刻机DSP-100

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面向Panel Level Package的无掩膜版数字曝光装置分辨率、、套刻精度、、产量全数达到了高档水平

数字光刻机DSP-100

确认具体内容

产品名称 数字光刻机“DSP-100”
分辨率 1.0μm L/S
光源 相当于i线
套刻精度 ≦±0.3μm
支持基板尺寸 方形基板：：：～600x600mm
产出 50片/小时
※以510x515mm基板为例
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